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IXFA10N60P
IXFP10N60P
16
Fig. 7. Input Admittance
22
Fig. 8. Transconductance
14
20
18
T J = - 40oC
12
10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
16
14
12
25oC
125oC
8
10
6
4
2
0
8
6
4
2
0
3.2
3.6
4.0
4.4
4.8
5.2
5.6
6.0
6.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
30
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 300V
25
20
15
8
7
6
5
4
I D = 5A
I G = 10mA
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
Coss
10
Crss
1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXF_10N60P (4J)4-18-10-D
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